mos管的作用與工作原理？

MOS管的工作原理:

它使用VGS來控制"感應電荷"來改變由這些"感應電荷"進而達到控制漏極電流的目的。在制造燈管的時候，大量的正離子通過工藝出現在絕緣層中，所以可以在界面的另一側感應出更多的負電荷。這些負電荷連接高滲雜質的N區，形成導電通道。即使在VGS0，也有很大的漏極電流ID。當柵電壓變化時，溝道中感應的電荷量也發生變化，導電溝道的寬度也發生變化，因此漏電流ID隨著柵電壓的變化而變化。

功能:

1.它可以應用于放大器電路。由于MOS晶體管放大器的輸入阻抗很高，耦合電容可以很小，不需要電解電容。

2.非常高的輸入阻抗非常適合阻抗變換。它常用于多級放大器輸入級的阻抗變換。

3.它可以用作可變電阻。

4.它可以方便地用作恒流源。

5、可作為電子開關使用。

mos管導通電壓大小是多大啊?為什么mos管需要柵極驅動電路,而類似的三極管不需要呢？

如果用mos晶體管驅動電路來驅動，我覺得mos晶體管驅動電路也起到類似的放大作用。為什么使用mos晶體管？

由于型號不同，MOS的導通電壓也不同。詳情請參考相應的數據手冊。Mos晶體管是電壓控制器件，三極管是電流控制器件。如果兩者都可以不用驅動電路用于升壓，那么兩者在功率輸出上都需要驅動電路。

MOS集成電路的介紹？

根據晶體管的溝道導電類型，可分為P溝道MOIC、N溝道MOIC和將P溝道和N溝道MOS晶體管組合成一個電路單元的互補MOIC，分別稱為PMOS、NMOS和CMOS集成電路。隨著工藝技術的發展，CMOS集成電路已經成為集成電路的主流，工藝也越來越完善和復雜，從P阱或N阱CMOS到雙阱CMOS工藝。20世紀80年代，出現了結合雙極電路和互補金屬氧化物半導體(CMOS)電路優點的BiCMOS集成電路結構。按柵材料可分為鉛柵、硅柵、硅化物柵和難熔金屬(如鉬、鎢)柵，柵尺寸從微米到亞微米(0.5~1微米)、強亞微米(0.5微米以下)都有所變化。此外，還開發了不同MOS集成電路結構的MOSIC:例如，浮柵雪崩注入MOS(FAMOS)結構用于可擦除只讀存儲器；擴散自對準MOS(DMOS)結構和V型槽MOS結構可以滿足高速高壓的要求。近年來發展了以藍寶石為絕緣襯底的CMOS結構，具有抗輻射、低功耗、高速等優點。MOSIC廣泛應用于計算機、通信、機電儀器、家電自動化、航空航天等領域，可以做整機體積小、工作速度快、功能復雜、可靠性高、功耗低、成本低。