51單片機如何存儲采集的數據？51單片機的程序存儲器有片內和片外兩部分。
而且無論片內程序存儲器還是片外程序存儲器，它們的地址都是共享的。如果片內為4kROM，則地址為0x0000-0x0FFF，0x1000-0xFFFF的地址空間為外部ROM。外部ROM的0x0000-0x0FFF這部分可以用嗎？這個取決于單片機EA引腳的電平值。當EA=1時，這部分內部ROM被使用，這部分外部ROM被浪費。當EA=0時，使用外部ROM，內部ROM被浪費。用匯編的MOVC指令從代碼段中讀取數據，單片機會根據MOVC指令、
51單片機如何存儲數據？
沒有不知道要保存哪種數據，斷電保護還是緩存？如果是為了保存不受掉電保護的緩存數據，可以使用單片機內部的RAM空間，包括20H~7FH的直接尋址區，不被SFR占用的80H~FFH的間接尋址區，也可以使用STC單片機內部的擴展RAM。
如果是保存掉電保護的數據，可以在單片機外面掛上flash或者
請教單片機掉電后，如何快速的保存數據問題？
;關于這個問題，我認為我們應該從以下幾個方面著手:盡量使用內部閃存存儲數據。內部flash讀寫速度快，可靠性高。
如果使用外部flash或eeprom進行存儲，flash通常是一個spi接口?？紤]到電磁干擾和MCU的響應速度，即使使用MCU的硬件SPI模塊進行通信，SPI的最大時鐘也在1MHz左右，發送一個字節的數據大約需要10us。不考慮擦除閃存的時間，存儲100字節的數據大約需要5ms。如果考慮可靠性，需要閱讀和驗證。
Eeprom一般采用IIC接口，類似SPI接口，高速IIC存儲100字節數據至少需要5ms。
FLASH的特點是寫數據只能從1重寫到0，從0重寫到1需要擦除整個頁面，或者整個扇區，或者整個塊。
以STM32F051為例。一個頁面是1kb，一個塊是64kByte。擦除一頁大約需要20毫秒。在整個擦除過程中，整個MCU被掛起，即不執行任何操作。和FLASH的寫操作比較快，大約1字節需要1us。
需要掉電檢測電路，掉電檢測需要檢測給MCU供電的LDO或DC-DC的前級電壓。
比如MCU采用12V-3.3VLDO供電，需要檢測12V的電壓來決定是否斷電。
通過電阻分壓12V的電壓，然后連接到MCU的A/D檢測口，判斷是否斷電。
MCU供電的LDO或DC-DC的前級并聯足夠的電容，保證電容的供電能保證MCU能寫數據。
電容器的尺寸可通過以下步驟確定:
評估斷電時前一電壓提供的工作電流。一旦單片機檢測到掉電，就需要切斷耗電輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口。比如20mA。
確認LDO的最低輸入電壓，如5.3。
確認判斷斷電的電壓，如10V，確認斷電開始與LDO最低輸入電壓的電壓差，如4.7V
確認寫入所有數據所需的時間，例如20ms。
根據公式計算所需電容，C=I*T/U=20mA*20mS/4.7V=85uF?？梢赃x擇100uF的電容。
一旦MCU檢測到掉電，需要切斷耗電輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口需要立即斷開。
在正常操作中，預先準備一個存儲空間并將其擦除到0xFF中。
檢測到掉電后，可以直接寫入數據，無需擦除FLASH內容，可以節省大量時間。