雷達的ka波段和ku波段區別？

1.Ka頻段頻率更高，同樣口徑的天線波束更窄，天線方向性更好，意味著天線接收到的相鄰衛星干擾更少，對離軸功率譜密度的限制也會更小，從而提高系統的性能；

2.Ka頻段更多的免費軌道時隙可以讓非主流衛星運營商有機會進入這個市場，嘗試更多的創新；

3.與Ku波段不同，美國為應用分配了一個特殊的Ka頻率，使能夠建立自己的衛星星座系統。著名的寬帶全球通信衛星通信系統(WGS)就是這一政策的產物。

4.Ka波段的局限性不同于Ku波段的局限性。雖然Ka波段在天線尺寸固定的情況下可以獲得更好的指向性和增益，但是被更高的空間損耗所抵消。此外，對于商用Ka波段，離軸

為什么東芝移動硬盤變成“ESD-USB”了？

用win10自帶的usb安裝后，發現u盤是辯證

主板cmos電路分析哪些方面，CMOS電路ESD保護結構的設計作用是什么？

答:cmos電路簡介。

CMOS電路是互補金屬氧化物半導體英文前綴的縮寫。它由絕緣場效應晶體管組成。因為只有一個載體，所以是單極晶體管集成電路。其基本結構是一個N溝道MOS晶體管和一個P溝道MOS晶體管，如下圖所示。

CMOS電路基本結構示意圖

cmos電路的工作原理

cmos電路分析的工作原理如下:

由于兩個晶體管的工作電壓極性相反，所以兩個晶體管作為輸入端相連，兩個漏極作為輸出端相連，如圖1(a)所示，所以兩個晶體管只是互為負載，處于互補的工作狀態。

當輸入低電平(ViVss)時，PMOS管導通，NMOS管關斷，輸出高電平，如圖1(b)所示。

當輸入電平為高電平(ViVDD)時，PMOS管關閉，NMOS管開啟，輸出為低電平，如圖1(c)所示。

兩根管子它像單刀雙擲開關一樣交替工作，構成逆變器。

主板CMOS電路分析

一、主板CMOS電路分析——主板CMOS電路組成

電路保存CMOS存儲器中的信息，在主板斷電后，由一個紐扣電池供電使CMOS電路正常工作，從而保證CMOS存儲器中的信息不丟失。CMOS電路在接收到外圍專用晶振提供的不間斷電源和時鐘信號后，會一直處于工作狀態，可以隨時參與喚醒任務(即啟動)。

電路主要由CMOS隨機存儲器、實時時鐘電路(包括振蕩器、晶體振蕩器、諧振電容等組成。)，跳線，南橋芯片，電池，電源電路。

二、主板CMOS電路分析——CMOS隨機存儲器

CMOSRAM的作用是存儲系統日期、時間、主板內存容量、硬盤類型和數量、顯卡類型、當前系統硬件配置和用戶設置的一些參數等重要信息。開機時，BIOS初始化系統自檢，將系統自檢檢測到的配置與CMOSRAM中的參數進行比較，正確后才啟動系統。

三、主板CMOS電路分析——實時時鐘電路

1.實時時鐘電路的功能是產生32的正弦波時鐘信號。768kHz，負責為CMOS電路和啟動電路提供所需的時鐘信號(CLK)。實時時鐘電路主要包括振蕩器(集成在南橋)、32.768kHz晶振、諧振電容等元件。

ESD保護結構的CMOS電路分析設計

ESD電流大部分來自電路外部，所以ESD保護電路一般設計在焊盤旁邊，I/O電路內部。典型的I/O電路由一個輸出驅動器和一個輸入接收器組成。ESD是通過焊盤引入芯片的，所以I/O中所有直接連接到焊盤的器件都需要建立一個并聯的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，然后從電壓線分配到芯片的各個管腳，以減少ESD的影響。具體到I/O電路，即連接到焊盤的輸出驅動器和輸入接收器，需要保證在ESD發生時，與保護電路并聯形成低阻通路，旁路ESD電流，保護電路的電壓能夠被立即有效地箝位。當這兩部分正常工作時，電路的正常工作不會受到影響。

常用的ESD保護器件有電阻、二極管、雙極晶體管、MOS晶體管、可控硅二極管等。由于MOS管與CMOS工藝的良好兼容性，MOS管常被用來構成保護電路。

CMOS工藝的NMOS晶體管有一個橫向寄生的n-p-n(源-p襯底-漏)晶體管，導通時可以吸收大量電流。利用這一現象，可以在小面積上設計出具有高ESD耐受電壓的保護電路，其中最典型的器件結構是柵極接地的NMOS(GGNMOS，GateGroundedNMOS).

在正常工作條件下，NMOS橫向晶體管不會導通。當ESD發生時，襯底的漏極和耗盡區會發生雪崩，并伴隨著電子-空穴對的產生。產生的空穴的一部分被源吸收，其余的流過襯底。由于襯底電阻Rsub的存在，襯底電壓增加。當襯底和源極之間的PN結正偏置時，電子從源極發射到襯底中。在源漏間電場的作用下，這些電子被加速，導致電子和空穴的碰撞電離，從而形成更多的電子-空穴對，增加流過n-p-n晶體管的電流，最終造成NMOS晶體管的二次擊穿。此時，擊穿不再可逆，NMOS晶體管被損壞。

為了進一步降低ESD期間輸出驅動器上NMOS兩端的電壓，可以在ESD保護器件和GGNMOS之間增加一個電阻。這種阻力可以不影響工作信號，所以它可以不要太大。繪制布局時通常使用多晶硅(Poly)電阻器。

由于只有一級ESD保護，當ESD電流較高時，電路內部的電子管仍可能被擊穿。GGNMOS開始了。由于大的ESD電流，襯底和金屬連接上的電阻可能不可忽視。在這個時候，GGNMOS可以t箝位輸入和接收端的柵極電壓，因為正是GGNMOS與輸入和接收端襯底之間的IR壓降使得輸入和接收端的氧化硅層的電壓達到擊穿電壓。為了避免這種情況，可以在輸入接收器附近添加一個小GGNMOS，用于二級ESD保護，它可以用來箝位輸入接收器的柵極電壓，如下圖所示。

常見靜電放電的保護結構和等效電路