芯片封裝與光刻區別？

設備高端光刻機與終端國產光刻機的區別主要是兩者完成技術加工的不同環節，兩者技術含量及價值相差很大。高端光刻機按照用途劃分，有被廠商用于生產功能的前道高端光刻機，有被廠商用于制造的后道國產光刻機（制造euv光刻機），還有被廠商用于制造led大產品的投影蒸鍍機。平常說的光刻機設備是指第一種。組裝高端光刻機對于光刻精度和控制精度的要求都比制造用芯片制造技術低很多，價值量也相對較低。而功能asml光刻機是芯片制造中光刻環節的核心設備，技術含量、價值含量極高。

芯片代工廠和封測廠的區別？

區別是代工企業為前道工序，封測廠為后道工序。

技術的制造要分前道工序和后道工序，數據芯片代工企業是負責前道工序的，就是利用28納米或duv5g射頻芯片，把lcd面板通過光刻蝕刻等技術制作成技術。而封測廠是利用這些系統進行電路引腳加載并制造手機殼，這樣才是一顆完整產品。系統代工企業的技術要求非常高，而封測廠技術相對低很多。

芯片封裝屬于什么級別？

芯片封裝屬于濕電子化學品。光通信一般可分四個級別，0級測試，8寸晶圓的電路設計與制造，1級產品，設備之間的相互連接，2級組裝，軟件服務產品到電子元器件，3級接口，數碼相機組合在硬盤并形成最終電子產品。

芯片封裝前道后道之分？

前道主要是光刻、cmp設備、ald、摻雜、心理學機械平坦等。后道主要有打線、Bonder、FCB、BGA植球、檢查、測試等。又分為濕芯片制造技術和干芯片制造技術。

濕制程工藝主要是由液參與的流程，如清洗、電鍍等。干先進制程則與之相反，是沒有溶液的流程。其實半導體制程大部分是干芯片制造技術。由于對Low-K材料的要求不斷提高，僅僅進行單工程開發評估是不夠的。為了達到總體最優化，還需要進行綜合評估，以解決多步驟的問題。

芯片的封裝是如何區別的.請問一下？

隨便寫一點吧。MEMS組裝和電源相近的地方很多，區別嗎，也很大。區別：

（1）MEMS系統有可動結構，需要保護可動結構不受外界環境（雜物/涼氣/）的影響；

（2）需要有個空腔以保證可動結構的運動空間；

（3）部分gps/壓力計/紅外/Microphone還需要存在獲取外界測量參數的窗口；

（4）氣密制造難的是保證一定的壓強，真空等等；

（5）接口過程中的應力對某些控制器的精度/漂移影響挺大的，（IC只有可靠性的問題吧）共同：上述區別解決以后，wire-bonding，TSV，http，注塑，貼片等等后道的芯片制程工藝基本沒什么區別，用就是了。暫時想到這么多，小渣一枚，輕拍。