邏輯芯片與存儲芯片的區(qū)別？

邏輯芯片也叫可編程邏輯器件，英文PLD。PLD是作為一個通用集成電路生產(chǎn)的，它的邏輯功能是根據(jù)用戶設(shè)備的編程。通用PLD集成度高，足以滿足設(shè)計(jì)通用數(shù)字系統(tǒng)的需要。

存儲芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用。因此，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片，都是通過在單個芯片中嵌入軟件，以及支持各種協(xié)議、各種硬件和不同應(yīng)用來實(shí)現(xiàn)多功能和高性能。

邏輯芯片和存儲芯片的區(qū)別

目前邏輯芯片的工藝還在20nm左右，比如Intel而內(nèi)存芯片已經(jīng)接近10nm，比如閃存。兩者有什么區(qū)別？

1)差異:兩種芯片工藝的差異主要是由兩種芯片的核心部件晶體管的結(jié)構(gòu)/工作模式的差異造成的。請參考半導(dǎo)體器件相關(guān)的書籍和論文。

2)尺寸:從門長這個指標(biāo)來看，你是對的。2DNANDFlash的無接觸多晶硅半節(jié)距優(yōu)于目前14/16nmFINFET的Lg。根據(jù)ITRS2015年的數(shù)據(jù)，前者為15納米，后者為24納米。[1]

3)命名:不過需要注意的是，半導(dǎo)體行業(yè)對邏輯產(chǎn)品(MPU/ASIC)和非易失性存儲器(Flash)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的命名是不同的。長期以來，前者使用接觸金屬線的半間距，后者使用非接觸多晶硅(浮柵)的半間距。前者的物理Lg其實(shí)小于節(jié)點(diǎn)數(shù)，而后者的SL/BL的Lg大于節(jié)點(diǎn)數(shù)。[2]

4)新結(jié)構(gòu):然而，隨著近年來新器件進(jìn)入市場，如FINF

手機(jī)解鎖BL是什么意思?是不是解鎖BL后才能刷機(jī)？

BLBootLoader中文名:系統(tǒng)引導(dǎo)加載程序(systembootloader)的主要作用是在引導(dǎo)進(jìn)入系統(tǒng)之前，加載一些硬件初始化程序，啟動系統(tǒng)進(jìn)程。。

諸如此類的東西，就相當(dāng)于故事中的母親。

像大多數(shù)母親一樣，她們的任務(wù)是來到石頭必要時請到我的房間。首先，她會喚醒石頭。確定石頭起來后，她會幫石頭穿衣服。確定石頭穿好衣服后，她會幫石頭刷牙洗臉，背上背包。

最后，在完成石頭s的衣服，把石頭送到車站，等校車去上學(xué)。(母親萬歲)當(dāng)然，和其一樣，每一個bootloader都很有條理，會在兒子上學(xué)前把他需要的東西一一準(zhǔn)備好。

如果沒有bootloaderstone，你會穿著睡衣，在浴缸里蹚水，睡覺的時候刷牙，等校車。。。。。(its真的很瘋狂)而當(dāng)我們要做RSD刷機(jī)的時候，就要進(jìn)入這個bootloader！只有當(dāng)BL解鎖時，第三方sRCOVY被刷，然后第三方的ROM包可以通過第三方刷卡。;太棒了。

當(dāng)然也有一些品牌的手機(jī)解鎖了BL，比如聯(lián)想，但是像摩托羅拉、HTC、華為這些手機(jī)都是鎖BL的。